黄光LED芯片技术再次突破领跑

2017-12-14 12:00 浏览次数：10848

黄光LED芯片使硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%，远高于国外公开报道的最高水平（9.63%），使我国LED技术处于“局部领跑”地位。

高标准实验室内，配套一流的空气净化系统、温湿度控制系统。LED照明灯内，整齐排列着颗粒大小的芯片，这就是具有世界领先水平的硅衬底黄光LED芯片。

这一芯片，使硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%，远高于国外公开报道的最高水平(9.63%)，使我国LED技术处于“局部领跑”地位。新成果应邀在国际国内会议上作大会邀请报告6次，国际同行评价“令人惊叹”，国内同行评价“又一石破天惊的世界纪录”。

习近平总书记的肯定，是江风益团队不懈前进的动力。在2015年度国家科技奖励大会上，党的十九大代表、南昌大学副校长江风益教授作为获奖代表，从习近平总书记手里接过了国家技术发明奖一等奖证书。2016年2月，习近平总书记又视察了南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心实验室，肯定他们攻科研难题和抓成果转化决心大、目标高、工作实、成效好。此次当选党的十九大代表，对江风益来说，不仅是江西科学界和科研工作者的光荣，更是南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心的光荣。“我只有加倍努力，才能对得起总书记和大家的这份信任。”

再一次的突破领跑，主要得益于MOVCD装备与工艺的协同创新。做LED材料，以前核心的装备必须靠进口，全世界只有美国和德国两家公司在生产这个核心装备。近些年，中心自主研发了新一代MOCVD高端装备，这套装备尤其适合黄光LED的研发，被列入“国家 十三五节能环保产业发展规划”。

黄光LED芯片最大的市场在于其代替了荧光粉。江风益表示，目前LED照明主要是蓝光LED+荧光粉，因为黄光LED芯片电光转换效率不高，必须用荧光粉去代替黄光LED芯片。现在黄光LED芯片已经到了高水平，就可以革掉荧光粉的命，进入真正意义上的下一代半导体照明。

LED照明技术还有很大的发展空间。不仅仅是黄光，目前，江风益团队研究的硅衬底绿光LED电光转换效率也达40%，处于世界一流水平；基于Ag基反射镜的新型反极光红光LED工艺开发获得重要进展，拓展了研发方向；基于五基色LED合成的下一代LED照明技术已达到实用化水平，正向“全面领跑”的目标迈进。

10月19日，参加党的十九大的江西省代表团讨论面向中外媒体开放。江风益在会上深情地说：“曾经，我非常羡慕国外的科研人员，有很多研究经费，可以做很多创新性的工作。现在反过来，我们的研究条件很好，可以做很多以前想做而不敢做、国外没有做成、改变世界的科学研究工作。前不久，南昌大学进入了国家双一流建设大学行列，成为一流学科的建设高校，我所在学科也列入计划中。我们已经制定发展战略，将紧密结合江西重大需求，拓宽研究领域和研究方向。希望在不远的将来，在光伏新材料方面，我们能引领世界格局。”

来源：高工LED